rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти G.SKILL F3-2133C10D-8GXM. Отзывы о G.SKILL F3-2133C10D-8GXM.
bg

G.SKILL F3-2133C10D-8GXM отзывы.

Вся память >> G.Skill >> G.SKILL F3-2133C10D-8GXM

Описание G.SKILL F3-2133C10D-8GXM: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 2133 МГц; Объем: 2 модуля по 4 Гб; Напряжение питания: 1.6 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 10; RAS to CAS Delay (tRCD): 12; Row Precharge Delay (tRP): 12; Activate to Precharge Delay (tRAS): 31;...



Добавить отзыв о G.SKILL F3-2133C10D-8GXM
Имя: 
Отзыв: 
  
        7+7= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Transcend JM1333KLN-8GK
Transcend JM1333KLN-8GK Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1333 МГц; Объем: 2 модуля по 4 Гб;...
Team Group TED21G800C5-S01
Team Group TED21G800C5-S01 Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: SODIMM 200-контактный; Тактовая частота: 800 МГц; Пропускная способность: 6400 Мб/с; Объем: 1 модуль 1 Гб; Напряжение питания: 1.8 В; CAS Latency (CL): 5; RAS to CAS Del...


bg