rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти G.SKILL F3-2133C10D-8GSR. Отзывы о G.SKILL F3-2133C10D-8GSR.
bg

G.SKILL F3-2133C10D-8GSR отзывы.

Вся память >> G.Skill >> G.SKILL F3-2133C10D-8GSR

Описание G.SKILL F3-2133C10D-8GSR: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 2133 МГц; Объем: 2 модуля по 4 Гб; Напряжение питания: 1.6 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 10; RAS to CAS Delay (tRCD): 12; Row Precharge Delay (tRP): 12; Activate to Precharge Delay (tRAS): 31;...



Добавить отзыв о G.SKILL F3-2133C10D-8GSR
Имя: 
Отзыв: 
  
        5+4= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

GoodRAM W-AMM10662G
GoodRAM W-AMM10662G Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1066 МГц; Пропускная способность: 8500 Мб/с; Объем: 1 модуль 2 Гб; Совместимость: MacBook, MacBook Pro, iMac;...
Samsung DDR 400 DIMM 1Gb
Samsung DDR 400 DIMM 1Gb Тип памяти: DDR; Форм-фактор: DIMM; Тактовая частота: 400 МГц; Пропускная способность: 3200 Мб/с; Объем: 1 модуль 1;...


bg