rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти G.SKILL F3-19200CL11Q-16GBZHD. Отзывы о G.SKILL F3-19200CL11Q-16GBZHD.
bg

G.SKILL F3-19200CL11Q-16GBZHD отзывы.

Вся память >> G.Skill >> G.SKILL F3-19200CL11Q-16GBZHD

Описание G.SKILL F3-19200CL11Q-16GBZHD: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 2400 МГц; Пропускная способность: 19200 Мб/с; Объем: 4 модуля по 4 Гб; Напряжение питания: 1.65 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11; Activate to Precharge Delay (tRAS): 31;...



Добавить отзыв о G.SKILL F3-19200CL11Q-16GBZHD
Имя: 
Отзыв: 
  
        6+1= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

G.SKILL F3-17000CL11Q-32GBZLD
G.SKILL F3-17000CL11Q-32GBZLD Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 2133 МГц; Пропускная способность: 17000 Мб/с; Объем: 4 модуля по 8 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL)...
G.SKILL F3-2800C12D-16GTXDG
G.SKILL F3-2800C12D-16GTXDG Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 2800 МГц; Пропускная способность: 22400 Мб/с; Объем: 2 модуля по 8 Гб; Напряжение питания: 1.65 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL...


bg