rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти G.SKILL F3-19200CL10Q-32GBZHD. Отзывы о G.SKILL F3-19200CL10Q-32GBZHD.
bg

G.SKILL F3-19200CL10Q-32GBZHD отзывы.

Вся память >> G.Skill >> G.SKILL F3-19200CL10Q-32GBZHD

Описание G.SKILL F3-19200CL10Q-32GBZHD: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 2400 МГц; Пропускная способность: 19200 Мб/с; Объем: 4 модуля по 8 Гб; Напряжение питания: 1.65 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 10; RAS to CAS Delay (tRCD): 12; Row Precharge Delay (tRP): 12; Activate to Precharge Delay (tRAS): 31;...



Добавить отзыв о G.SKILL F3-19200CL10Q-32GBZHD
Имя: 
Отзыв: 
  
        4+1= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

G.SKILL F3-2133C11Q-32GZL
G.SKILL F3-2133C11Q-32GZL Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 2133 МГц; Пропускная способность: 17000 Мб/с; Объем: 4 модуля по 8 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL)...
GoodRAM GYR1866D364L9A/4G
GoodRAM GYR1866D364L9A/4G Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1866 МГц; Пропускная способность: 14900 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 9...


bg