rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти G.SKILL F3-1866C10D-16GSR. Отзывы о G.SKILL F3-1866C10D-16GSR.
bg

G.SKILL F3-1866C10D-16GSR отзывы.

Вся память >> G.Skill >> G.SKILL F3-1866C10D-16GSR

Описание G.SKILL F3-1866C10D-16GSR: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1866 МГц; Пропускная способность: 14900 Мб/с; Объем: 2 модуля по 8 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 10; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 10; Activate to Precharge Delay (tRAS): 30;...



Добавить отзыв о G.SKILL F3-1866C10D-16GSR
Имя: 
Отзыв: 
  
        8+3= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

G.SKILL F3-2133C10D-16GSR
G.SKILL F3-2133C10D-16GSR Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 2133 МГц; Объем: 2 модуля по 8 Гб; Напряжение питания: 1.65 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 10; RAS to CAS Delay (tRCD): 12; ...
GoodRAM GR1333D364L9/8G
GoodRAM GR1333D364L9/8G Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Объем: 1 модуль 8 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 9;...


bg