rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти G.SKILL F3-1866C10D-16GAB. Отзывы о G.SKILL F3-1866C10D-16GAB.
bg

G.SKILL F3-1866C10D-16GAB отзывы.

Вся память >> G.Skill >> G.SKILL F3-1866C10D-16GAB

Описание G.SKILL F3-1866C10D-16GAB: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1866 МГц; Пропускная способность: 14900 Мб/с; Объем: 2 модуля по 8 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 10; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 10;...



Добавить отзыв о G.SKILL F3-1866C10D-16GAB
Имя: 
Отзыв: 
  
        7+8= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Silicon Power SP004GBLTU133N01
Silicon Power SP004GBLTU133N01 Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 9; RAS to CAS Del...
Silicon Power SP004GBSTU160N02
Silicon Power SP004GBSTU160N02 Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 11;...


bg