rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти G.SKILL F3-17000CL9D-8GBXM. Отзывы о G.SKILL F3-17000CL9D-8GBXM.
bg

G.SKILL F3-17000CL9D-8GBXM отзывы.

Вся память >> G.Skill >> G.SKILL F3-17000CL9D-8GBXM

Описание G.SKILL F3-17000CL9D-8GBXM: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 2133 МГц; Пропускная способность: 17000 Мб/с; Объем: 2 модуля по 4 Гб; Напряжение питания: 1.65 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 9; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 10; Activate to Precharge Delay (tRAS): 28;...



Добавить отзыв о G.SKILL F3-17000CL9D-8GBXM
Имя: 
Отзыв: 
  
        5+1= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

GoodRAM GR1600D364L11/8GDC
GoodRAM GR1600D364L11/8GDC Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 2 модуля по 4 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 11;...
GoodRAM GY1600D364L9/2G
GoodRAM GY1600D364L9/2G Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 2 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 9...


bg