rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти G.SKILL F3-17000CL11Q-16GBZL. Отзывы о G.SKILL F3-17000CL11Q-16GBZL.
bg

G.SKILL F3-17000CL11Q-16GBZL отзывы.

Вся память >> G.Skill >> G.SKILL F3-17000CL11Q-16GBZL

Описание G.SKILL F3-17000CL11Q-16GBZL: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 2133 МГц; Пропускная способность: 17000 Мб/с; Объем: 4 модуля по 4 Гб; Напряжение питания: 1.6 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11; Activate to Precharge Delay (tRAS): 30;...



Добавить отзыв о G.SKILL F3-17000CL11Q-16GBZL
Имя: 
Отзыв: 
  
        3+9= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

G.SKILL F2-5300PHU1-1GBSA
G.SKILL F2-5300PHU1-1GBSA Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: SODIMM 200-контактный; Тактовая частота: 667 МГц; Пропускная способность: 5300 Мб/с; Объем: 1 модуль 1 Гб; Напряжение питания: 1.8 В; CAS Latency (CL): 5; RAS to CAS Del...
Patriot 4 GB (2x2GB) DDR3 1600 MHz (PSD34G1600KH)
Patriot 4 GB (2x2GB) DDR3 1600 MHz (PSD34G1600KH) Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 2 модуля по 2; Напряжение питания: 1.5 В; Количество ранков: 2; Количество чи...


bg