rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти G.SKILL F3-17000CL11Q-16GBSR. Отзывы о G.SKILL F3-17000CL11Q-16GBSR.
bg

G.SKILL F3-17000CL11Q-16GBSR отзывы.

Вся память >> G.Skill >> G.SKILL F3-17000CL11Q-16GBSR

Описание G.SKILL F3-17000CL11Q-16GBSR: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 2133 МГц; Пропускная способность: 17000 Мб/с; Объем: 4 модуля по 4 Гб; Напряжение питания: 1.6 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11; Activate to Precharge Delay (tRAS): 30;...



Добавить отзыв о G.SKILL F3-17000CL11Q-16GBSR
Имя: 
Отзыв: 
  
        8+6= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Patriot PSD34G13332H
Patriot PSD34G13332H Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Количество ранков: 2; Радиатор: ест...
Geil 2 GB DDR3 1333 MHz (GV32GB1333C9SC)
Geil 2 GB DDR3 1333 MHz (GV32GB1333C9SC) Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10660 Мб/с; Объем: 1 модуль 2; Напряжение питания: 1.5 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 9; R...


bg