rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти G.SKILL F3-17000CL11D-8GBSR. Отзывы о G.SKILL F3-17000CL11D-8GBSR.
bg

G.SKILL F3-17000CL11D-8GBSR отзывы.

Вся память >> G.Skill >> G.SKILL F3-17000CL11D-8GBSR

Описание G.SKILL F3-17000CL11D-8GBSR: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 2133 МГц; Пропускная способность: 17000 Мб/с; Объем: 2 модуля по 4 Гб; Напряжение питания: 1.6 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11; Activate to Precharge Delay (tRAS): 30;...



Добавить отзыв о G.SKILL F3-17000CL11D-8GBSR
Имя: 
Отзыв: 
  
        7+8= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

G.SKILL F3-1600C11D-8GNT
G.SKILL F3-1600C11D-8GNT Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 2 модуля по 4 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS...
Transcend TS2GDL2950
Transcend TS2GDL2950 Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: FB-DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 667 МГц; Пропускная способность: 5300 Мб/с; Поддержка ECC: есть; Буферизованная (Registered): Есть; Объем: 2 модуля по 1; Напря...


bg