rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти G.SKILL F3-1600C11S-8GSQ. Отзывы о G.SKILL F3-1600C11S-8GSQ.
bg

G.SKILL F3-1600C11S-8GSQ отзывы.

Вся память >> G.Skill >> G.SKILL F3-1600C11S-8GSQ

Описание G.SKILL F3-1600C11S-8GSQ: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 8 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11;...



Добавить отзыв о G.SKILL F3-1600C11S-8GSQ
Имя: 
Отзыв: 
  
        8+2= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

G.SKILL F3-2133C10D-16GXM
G.SKILL F3-2133C10D-16GXM Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 2133 МГц; Объем: 2 модуля по 8 Гб; Напряжение питания: 1.6 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 10; RAS to CAS Delay (tRCD): 12; R...
G.SKILL F3-1600C9S-8GXM
G.SKILL F3-1600C9S-8GXM Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 8 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 9...


bg