rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти G.SKILL F3-1600C11S-8GNT. Отзывы о G.SKILL F3-1600C11S-8GNT.
bg

G.SKILL F3-1600C11S-8GNT отзывы.

Вся память >> G.Skill >> G.SKILL F3-1600C11S-8GNT

Описание G.SKILL F3-1600C11S-8GNT: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 8 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11; Activate to Precharge Delay (tRAS): 28;...



Добавить отзыв о G.SKILL F3-1600C11S-8GNT
Имя: 
Отзыв: 
  
        4+8= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Patriot 2 GB DDR3 1600 MHz (PSD32G16002)
Patriot 2 GB DDR3 1600 MHz (PSD32G16002) Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 2; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 9;...
Kingston KVR16S11/4
Kingston KVR16S11/4 Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Количество ранков: 2; Количество ...


bg