rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти G.SKILL F3-1600C11S-8GIS. Отзывы о G.SKILL F3-1600C11S-8GIS.
bg

G.SKILL F3-1600C11S-8GIS отзывы.

Вся память >> G.Skill >> G.SKILL F3-1600C11S-8GIS

Описание G.SKILL F3-1600C11S-8GIS: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 8 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11; Activate to Precharge Delay (tRAS): 28;...



Добавить отзыв о G.SKILL F3-1600C11S-8GIS
Имя: 
Отзыв: 
  
        4+8= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

GoodRAM GR1600S364L11/8G
GoodRAM GR1600S364L11/8G Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 8 Гб; CAS Latency (CL): 11;...
Kingston KTH-PL316/16G
Kingston KTH-PL316/16G Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Поддержка ECC: есть; Буферизованная (Registered): Есть; Объем: 1 модуль 16 Гб; Напря...


bg