rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти G.SKILL F3-1600C11S-4GNS. Отзывы о G.SKILL F3-1600C11S-4GNS.
bg

G.SKILL F3-1600C11S-4GNS отзывы.

Вся память >> G.Skill >> G.SKILL F3-1600C11S-4GNS

Описание G.SKILL F3-1600C11S-4GNS: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11; Activate to Precharge Delay (tRAS): 28;...



Добавить отзыв о G.SKILL F3-1600C11S-4GNS
Имя: 
Отзыв: 
  
        9+7= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Geil GB38GB1866C10DC
Geil GB38GB1866C10DC Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1866 МГц; Пропускная способность: 14900 Мб/с; Объем: 2 модуля по 4 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 10; RAS to CAS...
Crucial BLT8G3D1869DT1TX0CEU
Crucial BLT8G3D1869DT1TX0CEU Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1866 МГц; Пропускная способность: 14900 Мб/с; Объем: 1 модуль 8 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 9...


bg