rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти G.SKILL F3-1600C11S-4GIS. Отзывы о G.SKILL F3-1600C11S-4GIS.
bg

G.SKILL F3-1600C11S-4GIS отзывы.

Вся память >> G.Skill >> G.SKILL F3-1600C11S-4GIS

Описание G.SKILL F3-1600C11S-4GIS: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11; Activate to Precharge Delay (tRAS): 28;...



Добавить отзыв о G.SKILL F3-1600C11S-4GIS
Имя: 
Отзыв: 
  
        7+1= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

G.SKILL F3-1866C10Q-32GSR
G.SKILL F3-1866C10Q-32GSR Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1866 МГц; Пропускная способность: 14900 Мб/с; Объем: 4 модуля по 8 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL)...
GoodRAM GY1600D364L10/16GDC
GoodRAM GY1600D364L10/16GDC Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 2 модуля по 8 Гб; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 10;...


bg