rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти G.SKILL F3-1600C11D-8GNS. Отзывы о G.SKILL F3-1600C11D-8GNS.
bg

G.SKILL F3-1600C11D-8GNS отзывы.

Вся память >> G.Skill >> G.SKILL F3-1600C11D-8GNS

Описание G.SKILL F3-1600C11D-8GNS: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 2 модуля по 4 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11; Activate to Precharge Delay (tRAS): 28;...



Добавить отзыв о G.SKILL F3-1600C11D-8GNS
Имя: 
Отзыв: 
  
        10+9= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

G.SKILL F2-5300CL5D-4GBSA
G.SKILL F2-5300CL5D-4GBSA Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: SODIMM 200-контактный; Тактовая частота: 667 МГц; Пропускная способность: 5300 Мб/с; Объем: 2 модуля по 2 Гб; Напряжение питания: 1.8 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL)...
GoodRAM GR400S64L3/512
GoodRAM GR400S64L3/512 Тип памяти: DDR; Форм-фактор: SODIMM 200-контактный; Тактовая частота: 400 МГц; Пропускная способность: 3200 Мб/с; Объем памяти: 1 модуль 0.512 Гб; Напряжение питания: 2.6 В; Количество ранков: 2; Кол...


bg