rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти G.SKILL F3-1600C11D-8GIS. Отзывы о G.SKILL F3-1600C11D-8GIS.
bg

G.SKILL F3-1600C11D-8GIS отзывы.

Вся память >> G.Skill >> G.SKILL F3-1600C11D-8GIS

Описание G.SKILL F3-1600C11D-8GIS: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 2 модуля по 4 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11; Activate to Precharge Delay (tRAS): 28;...



Добавить отзыв о G.SKILL F3-1600C11D-8GIS
Имя: 
Отзыв: 
  
        4+8= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

G.SKILL F3-2400C11D-8GXM
G.SKILL F3-2400C11D-8GXM Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 2400 МГц; Пропускная способность: 19200 Мб/с; Объем: 2 модуля по 4 Гб; Напряжение питания: 1.65 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL...
G.SKILL F3-17000CL11D-8GBXL
G.SKILL F3-17000CL11D-8GBXL Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 2133 МГц; Пропускная способность: 17000 Мб/с; Объем: 2 модуля по 4 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL)...


bg