rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти G.SKILL F3-1600C11D-16GSQ. Отзывы о G.SKILL F3-1600C11D-16GSQ.
bg

G.SKILL F3-1600C11D-16GSQ отзывы.

Вся память >> G.Skill >> G.SKILL F3-1600C11D-16GSQ

Описание G.SKILL F3-1600C11D-16GSQ: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 2 модуля по 8 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11;...



Добавить отзыв о G.SKILL F3-1600C11D-16GSQ
Имя: 
Отзыв: 
  
        10+2= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

GoodRAM GYS1600D364L9/4G
GoodRAM GYS1600D364L9/4G Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 9;...
GoodRAM GR400S64L3/1G
GoodRAM GR400S64L3/1G Тип памяти: DDR; Форм-фактор: SODIMM 200-контактный; Тактовая частота: 400 МГц; Объем: 1 модуль 1; Напряжение питания: 2.6 В; Количество ранков: 2; Количество чипов каждого модуля: 16 двусторонняя упа...


bg