rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти G.SKILL F3-1600C11D-16GNT. Отзывы о G.SKILL F3-1600C11D-16GNT.
bg

G.SKILL F3-1600C11D-16GNT отзывы.

Вся память >> G.Skill >> G.SKILL F3-1600C11D-16GNT

Описание G.SKILL F3-1600C11D-16GNT: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 2 модуля по 8 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11; Activate to Precharge Delay (tRAS): 28;...



Добавить отзыв о G.SKILL F3-1600C11D-16GNT
Имя: 
Отзыв: 
  
        3+9= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

G.SKILL F2-6400CL4D-4GBPK
G.SKILL F2-6400CL4D-4GBPK Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 800 МГц; Объем: 2 модуля по 2; Напряжение питания: 2 В; Радиатор: есть; Дополнительные характеристики: напряжение питания 2.0-2.1В...
Geil GPW38GB1866C9DC
Geil GPW38GB1866C9DC Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1866 МГц; Пропускная способность: 14900 Мб/с; Объем: 2 модуля по 4 Гб; Напряжение питания: 1.65 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL...


bg