rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти G.SKILL F3-1600C11D-16GISL. Отзывы о G.SKILL F3-1600C11D-16GISL.
bg

G.SKILL F3-1600C11D-16GISL отзывы.

Вся память >> G.Skill >> G.SKILL F3-1600C11D-16GISL

Описание G.SKILL F3-1600C11D-16GISL: Тип памяти: DDR3L; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 2 модуля по 8 Гб; Напряжение питания: 1.35 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11; Activate to Precharge Delay (tRAS): 28;...



Добавить отзыв о G.SKILL F3-1600C11D-16GISL
Имя: 
Отзыв: 
  
        6+1= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

GoodRAM GYS1600D364L9/8GDC
GoodRAM GYS1600D364L9/8GDC Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 2 модуля по 4 Гб; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 9;...
G.SKILL F3-17000CL9D-8GBXM
G.SKILL F3-17000CL9D-8GBXM Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 2133 МГц; Пропускная способность: 17000 Мб/с; Объем: 2 модуля по 4 Гб; Напряжение питания: 1.65 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL...


bg