rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти G.SKILL F3-1600C10D-16GSQ. Отзывы о G.SKILL F3-1600C10D-16GSQ.
bg

G.SKILL F3-1600C10D-16GSQ отзывы.

Вся память >> G.Skill >> G.SKILL F3-1600C10D-16GSQ

Описание G.SKILL F3-1600C10D-16GSQ: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 2 модуля по 8 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 10; RAS to CAS Delay (tRCD): 10; Row Precharge Delay (tRP): 10;...



Добавить отзыв о G.SKILL F3-1600C10D-16GSQ
Имя: 
Отзыв: 
  
        7+5= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

G.SKILL F2-6400CL6S-4GBSQ
G.SKILL F2-6400CL6S-4GBSQ Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: SODIMM 200-контактный; Тактовая частота: 800 МГц; Пропускная способность: 6400 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряжение питания: 1.8 В; CAS Latency (CL): 6; RAS to CAS Del...
Geil 4 GB DDR3 1600 MHz (GVP34GB1600C9SC)
Geil 4 GB DDR3 1600 MHz (GVP34GB1600C9SC) Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряжение питания: 1.6 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 9...


bg