rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти G.SKILL F3-1600C10D-16GAO. Отзывы о G.SKILL F3-1600C10D-16GAO.
bg

G.SKILL F3-1600C10D-16GAO отзывы.

Вся память >> G.Skill >> G.SKILL F3-1600C10D-16GAO

Описание G.SKILL F3-1600C10D-16GAO: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 2 модуля по 8 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 10; RAS to CAS Delay (tRCD): 10; Row Precharge Delay (tRP): 10;...



Добавить отзыв о G.SKILL F3-1600C10D-16GAO
Имя: 
Отзыв: 
  
        8+10= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Kingston KVR667D2N5/2G
Kingston KVR667D2N5/2G Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 667 МГц; Пропускная способность: 5300 Мб/с; Объем: 1 модуль 2; Напряжение питания: 1.8 В; Количество чипов каждого модуля: 16 двус...
Crucial CT51264BA160B
Crucial CT51264BA160B Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 11;...


bg