rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти G.SKILL F3-16000CL9Q-16GBTDD. Отзывы о G.SKILL F3-16000CL9Q-16GBTDD.
bg

G.SKILL F3-16000CL9Q-16GBTDD отзывы.

Вся память >> G.Skill >> G.SKILL F3-16000CL9Q-16GBTDD

Описание G.SKILL F3-16000CL9Q-16GBTDD: Тип: DDR3; Форм-фактор: DIMM; Объем одного модуля: 4 Гб; Количество контактов: 240; Количество модулей: 4; Тактовая частота: 2000 МГц; Пропускная способность: 16000 Мб/с; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Радиатор: да; CL: 9; tRCD: 9; tRP: 9; tRAS: 27; Напряжение питания: 1.65 В;...



Добавить отзыв о G.SKILL F3-16000CL9Q-16GBTDD
Имя: 
Отзыв: 
  
        7+7= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

G.SKILL F3-16000CL7Q-8GBFLS
G.SKILL F3-16000CL7Q-8GBFLS Тип: DDR3; Форм-фактор: DIMM; Объем одного модуля: 2 Гб; Количество контактов: 240; Количество модулей: 4; Тактовая частота: 2000 МГц; Пропускная способность: 16000 Мб/с; Поддержка ECC: нет; Буферизов...
Silicon Power SP004GBLTU133S21
Silicon Power SP004GBLTU133S21 Тип: DDR3; Форм-фактор: DIMM; Объем одного модуля: 2 Гб; Количество контактов: 240; Количество модулей: 2; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Поддержка ECC: нет; Буферизов...


bg