rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти G.SKILL F3-1333C9S-4GNS. Отзывы о G.SKILL F3-1333C9S-4GNS.
bg

G.SKILL F3-1333C9S-4GNS отзывы.

Вся память >> G.Skill >> G.SKILL F3-1333C9S-4GNS

Описание G.SKILL F3-1333C9S-4GNS: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10666 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 9; RAS to CAS Delay (tRCD): 9; Row Precharge Delay (tRP): 9; Activate to Precharge Delay (tRAS): 24;...



Добавить отзыв о G.SKILL F3-1333C9S-4GNS
Имя: 
Отзыв: 
  
        2+1= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

G.SKILL F3-2133C10D-16GAB
G.SKILL F3-2133C10D-16GAB Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 2133 МГц; Объем: 2 модуля по 8 Гб; Напряжение питания: 1.6 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 10; RAS to CAS Delay (tRCD): 12; R...
GoodRAM GYR1600D364L9/4G
GoodRAM GYR1600D364L9/4G Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 9;...


bg