rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти G.SKILL F3-1333C9D-16GIS. Отзывы о G.SKILL F3-1333C9D-16GIS.
bg

G.SKILL F3-1333C9D-16GIS отзывы.

Вся память >> G.Skill >> G.SKILL F3-1333C9D-16GIS

Описание G.SKILL F3-1333C9D-16GIS: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1333 МГц; Объем: 2 модуля по 8 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 9; RAS to CAS Delay (tRCD): 9; Row Precharge Delay (tRP): 9; Activate to Precharge Delay (tRAS): 24;...



Добавить отзыв о G.SKILL F3-1333C9D-16GIS
Имя: 
Отзыв: 
  
        2+9= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

G.SKILL F3-1600C10D-16GSQ
G.SKILL F3-1600C10D-16GSQ Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 2 модуля по 8 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 10; RAS to C...
G.SKILL F2-6400CL6S-4GBSQ
G.SKILL F2-6400CL6S-4GBSQ Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: SODIMM 200-контактный; Тактовая частота: 800 МГц; Пропускная способность: 6400 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряжение питания: 1.8 В; CAS Latency (CL): 6; RAS to CAS Del...


bg