rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти G.SKILL F3-12800CL9Q-16GBSR1. Отзывы о G.SKILL F3-12800CL9Q-16GBSR1.
bg

G.SKILL F3-12800CL9Q-16GBSR1 отзывы.

Вся память >> G.Skill >> G.SKILL F3-12800CL9Q-16GBSR1

Описание G.SKILL F3-12800CL9Q-16GBSR1: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 4 модуля по 4 Гб; Напряжение питания: 1.35 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 9; RAS to CAS Delay (tRCD): 9; Row Precharge Delay (tRP): 9; Activate to Precharge Delay (tRAS): 24;...



Добавить отзыв о G.SKILL F3-12800CL9Q-16GBSR1
Имя: 
Отзыв: 
  
        5+5= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Transcend TS256MAPG100
Transcend TS256MAPG100 Тип памяти: SDRAM; Форм-фактор: DIMM 168-контактный; Тактовая частота: 133 МГц; Объем памяти: 1 модуль 0.256 Гб; Напряжение питания: 3.3 В; CAS Latency (CL): 3;...
Transcend JM1600KLN-4GK
Transcend JM1600KLN-4GK Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 2 модуля по 2 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Количество ранков: 1; Количество...


bg