rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти G.SKILL F3-12800CL9D-8GBSQ. Отзывы о G.SKILL F3-12800CL9D-8GBSQ.
bg

G.SKILL F3-12800CL9D-8GBSQ отзывы.

Вся память >> G.Skill >> G.SKILL F3-12800CL9D-8GBSQ

Описание G.SKILL F3-12800CL9D-8GBSQ: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 2 модуля по 4 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 9; RAS to CAS Delay (tRCD): 9; Row Precharge Delay (tRP): 9; Activate to Precharge Delay (tRAS): 28;...



Добавить отзыв о G.SKILL F3-12800CL9D-8GBSQ
Имя: 
Отзыв: 
  
        7+10= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

AMD AE34G1601S2-UO
AMD AE34G1601S2-UO Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 11;...
Kingmax DDR2 1066 DIMM 2Gb
Kingmax DDR2 1066 DIMM 2Gb Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1066 МГц; Объем памяти: 1 модуль 2 Гб; Напряжение питания: 1.8 В; Дополнительные характеристики: напряжение питания 1.8-2.1В; CAS ...


bg