rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти G.SKILL F3-12800CL9D-4GBSQ. Отзывы о G.SKILL F3-12800CL9D-4GBSQ.
bg

G.SKILL F3-12800CL9D-4GBSQ отзывы.

Вся память >> G.Skill >> G.SKILL F3-12800CL9D-4GBSQ

Описание G.SKILL F3-12800CL9D-4GBSQ: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 2 модуля по 2 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 9; RAS to CAS Delay (tRCD): 9; Row Precharge Delay (tRP): 9; Activate to Precharge Delay (tRAS): 28;...



Добавить отзыв о G.SKILL F3-12800CL9D-4GBSQ
Имя: 
Отзыв: 
  
        4+2= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

GoodRAM GYS1866D364L9A/4G
GoodRAM GYS1866D364L9A/4G Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1866 МГц; Пропускная способность: 14900 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 9...
GoodRAM GYB1866D364L10/4G
GoodRAM GYB1866D364L10/4G Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1866 МГц; Пропускная способность: 14900 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 1...


bg