rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти G.SKILL F3-12800CL11S-4GBSQ. Отзывы о G.SKILL F3-12800CL11S-4GBSQ.
bg

G.SKILL F3-12800CL11S-4GBSQ отзывы.

Вся память >> G.Skill >> G.SKILL F3-12800CL11S-4GBSQ

Описание G.SKILL F3-12800CL11S-4GBSQ: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11; Activate to Precharge Delay (tRAS): 28;...



Добавить отзыв о G.SKILL F3-12800CL11S-4GBSQ
Имя: 
Отзыв: 
  
        8+5= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Geil GPB316GB2400C11BDC
Geil GPB316GB2400C11BDC Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 2400 МГц; Пропускная способность: 19200 Мб/с; Объем: 2 модуля по 8 Гб; Напряжение питания: 1.65 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL...
Kingston KTH-PL313EK3/12G
Kingston KTH-PL313EK3/12G Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Поддержка ECC: есть; Объем памяти: 3 модуля по 4 Гб;...


bg