rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти G.SKILL F3-12800CL11D-8GBSQ. Отзывы о G.SKILL F3-12800CL11D-8GBSQ.
bg

G.SKILL F3-12800CL11D-8GBSQ отзывы.

Вся память >> G.Skill >> G.SKILL F3-12800CL11D-8GBSQ

Описание G.SKILL F3-12800CL11D-8GBSQ: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 2 модуля по 4 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11; Activate to Precharge Delay (tRAS): 28;...



Добавить отзыв о G.SKILL F3-12800CL11D-8GBSQ
Имя: 
Отзыв: 
  
        6+6= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Geil GB38GB1333C9DC
Geil GB38GB1333C9DC Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10660 Мб/с; Объем: 2 модуля по 4 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 9; RAS to CAS ...
Kingston KVR1333D3E9SK2/16G
Kingston KVR1333D3E9SK2/16G Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Поддержка ECC: есть; Объем: 2 модуля по 8 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Количество ...


bg