rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти G.SKILL F3-10666CL9S-8GBSQ. Отзывы о G.SKILL F3-10666CL9S-8GBSQ.
bg

G.SKILL F3-10666CL9S-8GBSQ отзывы.

Вся память >> G.Skill >> G.SKILL F3-10666CL9S-8GBSQ

Описание G.SKILL F3-10666CL9S-8GBSQ: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Объем: 1 модуль 8 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 9; RAS to CAS Delay (tRCD): 9; Row Precharge Delay (tRP): 9;...



Добавить отзыв о G.SKILL F3-10666CL9S-8GBSQ
Имя: 
Отзыв: 
  
        3+10= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

GoodRAM GYR1600D364L10/16GDC
GoodRAM GYR1600D364L10/16GDC Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 2 модуля по 8 Гб; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 10;...
GoodRAM GYB1600D364L10/8G
GoodRAM GYB1600D364L10/8G Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 8 Гб; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 10;...


bg