rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти G.SKILL F3-10666CL9D-4GBSQ. Отзывы о G.SKILL F3-10666CL9D-4GBSQ.
bg

G.SKILL F3-10666CL9D-4GBSQ отзывы.

Вся память >> G.Skill >> G.SKILL F3-10666CL9D-4GBSQ

Описание G.SKILL F3-10666CL9D-4GBSQ: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10666 Мб/с; Объем: 2 модуля по 2 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 9; RAS to CAS Delay (tRCD): 9; Row Precharge Delay (tRP): 9; Activate to Precharge Delay (tRAS): 24;...



Добавить отзыв о G.SKILL F3-10666CL9D-4GBSQ
Имя: 
Отзыв: 
  
        7+4= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

G.SKILL F3-1333C9S-8GSL
G.SKILL F3-1333C9S-8GSL Тип памяти: DDR3L; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1333 МГц; Объем: 1 модуль 8 Гб; Напряжение питания: 1.35 В; CAS Latency (CL): 9; RAS to CAS Delay (tRCD): 9; Row Precharge Dela...
Geil GB316GB1600C10DC
Geil GB316GB1600C10DC Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 2 модуля по 8 Гб; CAS Latency (CL): 10; RAS to CAS Delay (tRCD): 10; Row Prec...


bg