rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти G.SKILL F2-6400CL6S-4GBSQ. Отзывы о G.SKILL F2-6400CL6S-4GBSQ.
bg

G.SKILL F2-6400CL6S-4GBSQ отзывы.

Вся память >> G.Skill >> G.SKILL F2-6400CL6S-4GBSQ

Описание G.SKILL F2-6400CL6S-4GBSQ: Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: SODIMM 200-контактный; Тактовая частота: 800 МГц; Пропускная способность: 6400 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряжение питания: 1.8 В; CAS Latency (CL): 6; RAS to CAS Delay (tRCD): 6; Row Precharge Delay (tRP): 6; Activate to Precharge Delay (tRAS): 18;...



Добавить отзыв о G.SKILL F2-6400CL6S-4GBSQ
Имя: 
Отзыв: 
  
        9+5= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Geil 4 GB DDR3 1600 MHz (GVP34GB1600C9SC)
Geil 4 GB DDR3 1600 MHz (GVP34GB1600C9SC) Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряжение питания: 1.6 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 9...
G.SKILL F3-1333C9S-4GIS
G.SKILL F3-1333C9S-4GIS Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1333 МГц; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 9; RAS to CAS Delay (tRCD): 9; Row Pr...


bg