rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти G.SKILL F2-6400CL5S-2GBSQ. Отзывы о G.SKILL F2-6400CL5S-2GBSQ.
bg

G.SKILL F2-6400CL5S-2GBSQ отзывы.

Вся память >> G.Skill >> G.SKILL F2-6400CL5S-2GBSQ

Описание G.SKILL F2-6400CL5S-2GBSQ: Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: SODIMM 200-контактный; Тактовая частота: 800 МГц; Пропускная способность: 6400 Мб/с; Объем: 1 модуль 2 Гб; Напряжение питания: 1.8 В; CAS Latency (CL): 5; RAS to CAS Delay (tRCD): 5; Row Precharge Delay (tRP): 5; Activate to Precharge Delay (tRAS): 15;...



Добавить отзыв о G.SKILL F2-6400CL5S-2GBSQ
Имя: 
Отзыв: 
  
        2+7= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Crucial CT102464BF160B
Crucial CT102464BF160B Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 8 Гб; Напряжение питания: 1.35 В; CAS Latency (CL): 11;...
Silicon Power SP008GBLTU133N02
Silicon Power SP008GBLTU133N02 Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Объем: 1 модуль 8 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Количество чипов каждого модуля: 16...


bg