rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти G.SKILL F2-6400CL5S-1GBSA. Отзывы о G.SKILL F2-6400CL5S-1GBSA.
bg

G.SKILL F2-6400CL5S-1GBSA отзывы.

Вся память >> G.Skill >> G.SKILL F2-6400CL5S-1GBSA

Описание G.SKILL F2-6400CL5S-1GBSA: Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: SODIMM 200-контактный; Тактовая частота: 800 МГц; Пропускная способность: 6400 Мб/с; Объем: 1 модуль 1 Гб; Напряжение питания: 1.8 В; CAS Latency (CL): 5; RAS to CAS Delay (tRCD): 5; Row Precharge Delay (tRP): 5; Activate to Precharge Delay (tRAS): 15;...



Добавить отзыв о G.SKILL F2-6400CL5S-1GBSA
Имя: 
Отзыв: 
  
        1+8= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Team Group TLD316G1600HC9QC01
Team Group TLD316G1600HC9QC01 Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 4 модуля по 4 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL)...
Team Group TED21GM800C6-S01
Team Group TED21GM800C6-S01 Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: SODIMM 200-контактный; Тактовая частота: 800 МГц; Пропускная способность: 6400 Мб/с; Объем: 1 модуль 1 Гб; Напряжение питания: 1.8 В; CAS Latency (CL): 6; RAS to CAS Del...


bg