rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти G.SKILL F2-6400CL5S-1GBNY. Отзывы о G.SKILL F2-6400CL5S-1GBNY.
bg

G.SKILL F2-6400CL5S-1GBNY отзывы.

Вся память >> G.Skill >> G.SKILL F2-6400CL5S-1GBNY

Описание G.SKILL F2-6400CL5S-1GBNY: Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 800 МГц; Объем памяти: 1 модуль 1 Гб; Напряжение питания: 1.8 В; CAS Latency (CL): 5; RAS to CAS Delay (tRCD): 5; Row Precharge Delay (tRP): 5; Activate to Precharge Delay (tRAS): 15;...



Добавить отзыв о G.SKILL F2-6400CL5S-1GBNY
Имя: 
Отзыв: 
  
        5+3= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

G.SKILL F3-1600C11D-8GISL
G.SKILL F3-1600C11D-8GISL Тип памяти: DDR3L; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 2 модуля по 4 Гб; Напряжение питания: 1.35 В; Радиатор: есть; CAS Latency (C...
GoodRAM GR1600S364L11/4G
GoodRAM GR1600S364L11/4G Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб; CAS Latency (CL): 11;...


bg