rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти G.SKILL F2-6400CL5S-1GBNT. Отзывы о G.SKILL F2-6400CL5S-1GBNT.
bg

G.SKILL F2-6400CL5S-1GBNT отзывы.

Вся память >> G.Skill >> G.SKILL F2-6400CL5S-1GBNT

Описание G.SKILL F2-6400CL5S-1GBNT: Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 800 МГц; Объем памяти: 1 модуль 1 Гб; Напряжение питания: 1.8 В; CAS Latency (CL): 5; RAS to CAS Delay (tRCD): 5; Row Precharge Delay (tRP): 5; Activate to Precharge Delay (tRAS): 15;...



Добавить отзыв о G.SKILL F2-6400CL5S-1GBNT
Имя: 
Отзыв: 
  
        7+6= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Kingston KTH-X3C/8G
Kingston KTH-X3C/8G Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 8 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Совместимость: для ноутбуков HP/C...
Kingston KTH-PL316S/4G
Kingston KTH-PL316S/4G Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Поддержка ECC: есть; Буферизованная (Registered): Есть; Объем: 1 модуль 4 Гб; Количе...


bg