rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти G.SKILL F2-6400CL5D-4GBSQ. Отзывы о G.SKILL F2-6400CL5D-4GBSQ.
bg

G.SKILL F2-6400CL5D-4GBSQ отзывы.

Вся память >> G.Skill >> G.SKILL F2-6400CL5D-4GBSQ

Описание G.SKILL F2-6400CL5D-4GBSQ: Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: SODIMM 200-контактный; Тактовая частота: 800 МГц; Пропускная способность: 6400 Мб/с; Объем: 2 модуля по 2 Гб; Напряжение питания: 1.8 В; CAS Latency (CL): 5; RAS to CAS Delay (tRCD): 5; Row Precharge Delay (tRP): 5; Activate to Precharge Delay (tRAS): 15;...



Добавить отзыв о G.SKILL F2-6400CL5D-4GBSQ
Имя: 
Отзыв: 
  
        3+5= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

G.SKILL F3-17000CL9Q-16GBXLD
G.SKILL F3-17000CL9Q-16GBXLD Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 2133 МГц; Пропускная способность: 17000 Мб/с; Объем: 4 модуля по 4 Гб; Напряжение питания: 1.65 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL...
HP 516423-B21
HP 516423-B21 Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1066 МГц; Поддержка ECC: есть; Буферизованная (Registered): Есть; Объем памяти: 1 модуль 8 Гб; Количество ранков: 2; CAS Latency (...


bg