rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти G.SKILL F2-5300CL5S-4GBSQ. Отзывы о G.SKILL F2-5300CL5S-4GBSQ.
bg

G.SKILL F2-5300CL5S-4GBSQ отзывы.

Вся память >> G.Skill >> G.SKILL F2-5300CL5S-4GBSQ

Описание G.SKILL F2-5300CL5S-4GBSQ: Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: SODIMM 200-контактный; Тактовая частота: 667 МГц; Пропускная способность: 5300 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряжение питания: 1.8 В; CAS Latency (CL): 5; RAS to CAS Delay (tRCD): 5; Row Precharge Delay (tRP): 5; Activate to Precharge Delay (tRAS): 15;...



Добавить отзыв о G.SKILL F2-5300CL5S-4GBSQ
Имя: 
Отзыв: 
  
        4+9= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Kingston KHX16C9X3K2/8X
Kingston KHX16C9X3K2/8X Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 2 модуля по 4 Гб; Напряжение питания: 1.65 В; Количество ранков: 2; Количеств...
HP 497767-B21
HP 497767-B21 Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 800 МГц; Поддержка ECC: есть; Буферизованная (Registered): Есть; Объем памяти: 2 модуля по 4 Гб; Количество ранков: 2;...


bg