rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти G.SKILL F2-4200PHU1-1GBSA. Отзывы о G.SKILL F2-4200PHU1-1GBSA.
bg

G.SKILL F2-4200PHU1-1GBSA отзывы.

Вся память >> G.Skill >> G.SKILL F2-4200PHU1-1GBSA

Описание G.SKILL F2-4200PHU1-1GBSA: Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: SODIMM 200-контактный; Тактовая частота: 533 МГц; Пропускная способность: 4200 Мб/с; Объем: 1 модуль 1 Гб; Напряжение питания: 1.8 В; CAS Latency (CL): 4; RAS to CAS Delay (tRCD): 4; Row Precharge Delay (tRP): 4; Activate to Precharge Delay (tRAS): 12;...



Добавить отзыв о G.SKILL F2-4200PHU1-1GBSA
Имя: 
Отзыв: 
  
        10+10= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

G.SKILL F2-4200CL4S-2GBSQ
G.SKILL F2-4200CL4S-2GBSQ Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: SODIMM 200-контактный; Тактовая частота: 533 МГц; Пропускная способность: 4200 Мб/с; Объем: 1 модуль 2 Гб; Напряжение питания: 1.8 В; CAS Latency (CL): 4;...
Kingmax DDR3 1333 DIMM 1Gb
Kingmax DDR3 1333 DIMM 1Gb Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10666 Мб/с; Объем: 1 модуль 1; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 9; RAS to CAS Delay ...


bg