rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти G.SKILL F1-3200PHU2-2GBNT. Отзывы о G.SKILL F1-3200PHU2-2GBNT.
bg

G.SKILL F1-3200PHU2-2GBNT отзывы.

Вся память >> G.Skill >> G.SKILL F1-3200PHU2-2GBNT

Описание G.SKILL F1-3200PHU2-2GBNT: Тип памяти: DDR; Форм-фактор: DIMM 184-контактный; Тактовая частота: 400 МГц; Объем памяти: 2 модуля по 1 Гб; Напряжение питания: 2.6 В; Дополнительные характеристики: напряжение питания 2.6-2.75В; CAS Latency (CL): 2.5; RAS to CAS Delay (tRCD): 4; Row Precharge Delay (tRP): 4; Activate to Precharge Delay (tRAS): 8;...



Добавить отзыв о G.SKILL F1-3200PHU2-2GBNT
Имя: 
Отзыв: 
  
        5+8= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

G.SKILL F3-2800C12D-8GTXDG
G.SKILL F3-2800C12D-8GTXDG Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 2800 МГц; Пропускная способность: 22400 Мб/с; Объем: 2 модуля по 4 Гб; Напряжение питания: 1.65 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL...
G.SKILL F3-2666C11Q-16GZHD
G.SKILL F3-2666C11Q-16GZHD Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 2666 МГц; Объем: 4 модуля по 4 Гб; Напряжение питания: 1.65 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 13; ...


bg