rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти G.SKILL F1-3200PHU1-512NT. Отзывы о G.SKILL F1-3200PHU1-512NT.
bg

G.SKILL F1-3200PHU1-512NT отзывы.

Вся память >> G.Skill >> G.SKILL F1-3200PHU1-512NT

Описание G.SKILL F1-3200PHU1-512NT: Тип памяти: DDR; Форм-фактор: DIMM 184-контактный; Тактовая частота: 400 МГц; Объем: 1 модуль 0.512; Напряжение питания: 2.6 В; Дополнительные характеристики: напряжение питания 2.6-2.75В; CAS Latency (CL): 2.5; RAS to CAS Delay (tRCD): 4; Row Precharge Delay (tRP): 4; Activate to Precharge Delay (tRAS): 8;...



Добавить отзыв о G.SKILL F1-3200PHU1-512NT
Имя: 
Отзыв: 
  
        6+5= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

G.SKILL F1-3200PHU1-512SA
G.SKILL F1-3200PHU1-512SA Тип памяти: DDR; Форм-фактор: SODIMM 200-контактный; Тактовая частота: 400 МГц; Пропускная способность: 3200 Мб/с; Объем: 1 модуль 512 Мб; Напряжение питания: 2.75 В; CAS Latency (CL): 3;...
G.SKILL F2-4200PHU1-1GBSA
G.SKILL F2-4200PHU1-1GBSA Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: SODIMM 200-контактный; Тактовая частота: 533 МГц; Пропускная способность: 4200 Мб/с; Объем: 1 модуль 1 Гб; Напряжение питания: 1.8 В; CAS Latency (CL): 4; RAS to CAS Del...


bg