rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти G.SKILL 8 GB (2x4GB) DDR3 2000 MHz (F3-16000CL9D-8GBRM). Отзывы о G.SKILL 8 GB (2x4GB) DDR3 2000 MHz (F3-16000CL9D-8GBRM).
bg

G.SKILL 8 GB (2x4GB) DDR3 2000 MHz (F3-16000CL9D-8GBRM) отзывы.

Вся память >> G.Skill >> G.SKILL 8 GB (2x4GB) DDR3 2000 MHz (F3-16000CL9D-8GBRM)

Описание G.SKILL 8 GB (2x4GB) DDR3 2000 MHz (F3-16000CL9D-8GBRM): Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 2000 МГц; Пропускная способность: 16000 Мб/с; Объем: 2 модуля по 4 Гб; Напряжение питания: 1.55 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 9; RAS to CAS Delay (tRCD): 10; Row Precharge Delay (tRP): 9; Activate to Precharge Delay (tRAS): 28;...



Добавить отзыв о G.SKILL 8 GB (2x4GB) DDR3 2000 MHz (F3-16000CL9D-8GBRM)
Имя: 
Отзыв: 
  
        4+8= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

G.SKILL F2-6400CL5D-4GBSQ
G.SKILL F2-6400CL5D-4GBSQ Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: SODIMM 200-контактный; Тактовая частота: 800 МГц; Пропускная способность: 6400 Мб/с; Объем: 2 модуля по 2 Гб; Напряжение питания: 1.8 В; CAS Latency (CL): 5; RAS to CAS ...
G.SKILL F3-17000CL9Q-16GBXLD
G.SKILL F3-17000CL9Q-16GBXLD Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 2133 МГц; Пропускная способность: 17000 Мб/с; Объем: 4 модуля по 4 Гб; Напряжение питания: 1.65 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL...


bg