rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти G.SKILL 8 GB (2x4GB) DDR3 1600 MHz (F3-12800CL7D-8GBXH). Отзывы о G.SKILL 8 GB (2x4GB) DDR3 1600 MHz (F3-12800CL7D-8GBXH).
bg

G.SKILL 8 GB (2x4GB) DDR3 1600 MHz (F3-12800CL7D-8GBXH) отзывы.

Вся память >> G.Skill >> G.SKILL 8 GB (2x4GB) DDR3 1600 MHz (F3-12800CL7D-8GBXH)

Описание G.SKILL 8 GB (2x4GB) DDR3 1600 MHz (F3-12800CL7D-8GBXH): Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 2 модуля по 4 Гб; Напряжение питания: 1.6 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 7; RAS to CAS Delay (tRCD): 8; Row Precharge Delay (tRP): 7; Activate to Precharge Delay (tRAS): 24;...



Добавить отзыв о G.SKILL 8 GB (2x4GB) DDR3 1600 MHz (F3-12800CL7D-8GBXH)
Имя: 
Отзыв: 
  
        3+10= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Silicon Power SP512MBSDU333O02
Silicon Power SP512MBSDU333O02 Тип памяти: DDR; Форм-фактор: SODIMM 200-контактный; Тактовая частота: 333 МГц; Пропускная способность: 2700 Мб/с; Объем: 1 модуль 512 Мб; Напряжение питания: 2.5 В; Количество чипов каждого модуля: 8...
Silicon Power SP001GBSDU400O01
Silicon Power SP001GBSDU400O01 Тип памяти: DDR; Форм-фактор: SODIMM 200-контактный; Тактовая частота: 400 МГц; Пропускная способность: 3200 Мб/с; Объем: 1 модуль 1 Гб; Напряжение питания: 2.5 В; CAS Latency (CL): 3;...


bg