rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти G.SKILL 6 GB (3x2GB) DDR3 1600 MHz (F3-12800CL6T-6GBPI). Отзывы о G.SKILL 6 GB (3x2GB) DDR3 1600 MHz (F3-12800CL6T-6GBPI).
bg

G.SKILL 6 GB (3x2GB) DDR3 1600 MHz (F3-12800CL6T-6GBPI) отзывы.

Вся память >> G.Skill >> G.SKILL 6 GB (3x2GB) DDR3 1600 MHz (F3-12800CL6T-6GBPI)

Описание G.SKILL 6 GB (3x2GB) DDR3 1600 MHz (F3-12800CL6T-6GBPI): Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 3 модуля по 2 Гб; Напряжение питания: 1.6 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 6; RAS to CAS Delay (tRCD): 8; Row Precharge Delay (tRP): 6; Activate to Precharge Delay (tRAS): 20;...



Добавить отзыв о G.SKILL 6 GB (3x2GB) DDR3 1600 MHz (F3-12800CL6T-6GBPI)
Имя: 
Отзыв: 
  
        1+6= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

G.SKILL F1-2700PHU1-512SA
G.SKILL F1-2700PHU1-512SA Тип памяти: DDR; Форм-фактор: SODIMM 200-контактный; Тактовая частота: 333 МГц; Пропускная способность: 2700 Мб/с; Объем: 1 модуль 512 Мб; Напряжение питания: 2.75 В; CAS Latency (CL): 3;...
Corsair CMY8GX3M2A2133C11
Corsair CMY8GX3M2A2133C11 Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 2133 МГц; Пропускная способность: 17066 Мб/с; Объем: 2 модуля по 4 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL)...


bg