rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти G.SKILL 4 GB SO-DIMM DDR3 1066 MHz (F3-8500CL7S-4GBSQ). Отзывы о G.SKILL 4 GB SO-DIMM DDR3 1066 MHz (F3-8500CL7S-4GBSQ).
bg

G.SKILL 4 GB SO-DIMM DDR3 1066 MHz (F3-8500CL7S-4GBSQ) отзывы.

Вся память >> G.Skill >> G.SKILL 4 GB SO-DIMM DDR3 1066 MHz (F3-8500CL7S-4GBSQ)

Описание G.SKILL 4 GB SO-DIMM DDR3 1066 MHz (F3-8500CL7S-4GBSQ): Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1066 МГц; Пропускная способность: 8500 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 7; RAS to CAS Delay (tRCD): 7; Row Precharge Delay (tRP): 7; Activate to Precharge Delay (tRAS): 20;...



Добавить отзыв о G.SKILL 4 GB SO-DIMM DDR3 1066 MHz (F3-8500CL7S-4GBSQ)
Имя: 
Отзыв: 
  
        6+6= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Geil GOC316GB2400C11ADC
Geil GOC316GB2400C11ADC Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 2400 МГц; Пропускная способность: 19200 Мб/с; Объем: 2 модуля по 8 Гб; Напряжение питания: 1.65 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL...
G.SKILL F3-1600C9Q-32GXM
G.SKILL F3-1600C9Q-32GXM Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 4 модуля по 8 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL)...


bg