rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти G.SKILL 4 GB (2x2GB) DDR3 2000 MHz (F3-16000CL9D-4GBRH). Отзывы о G.SKILL 4 GB (2x2GB) DDR3 2000 MHz (F3-16000CL9D-4GBRH).
bg

G.SKILL 4 GB (2x2GB) DDR3 2000 MHz (F3-16000CL9D-4GBRH) отзывы.

Вся память >> G.Skill >> G.SKILL 4 GB (2x2GB) DDR3 2000 MHz (F3-16000CL9D-4GBRH)

Описание G.SKILL 4 GB (2x2GB) DDR3 2000 MHz (F3-16000CL9D-4GBRH): Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 2000 МГц; Пропускная способность: 16000 Мб/с; Объем: 2 модуля по 2 Гб; Напряжение питания: 1.6 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 9; RAS to CAS Delay (tRCD): 9; Row Precharge Delay (tRP): 9; Activate to Precharge Delay (tRAS): 27;...



Добавить отзыв о G.SKILL 4 GB (2x2GB) DDR3 2000 MHz (F3-16000CL9D-4GBRH)
Имя: 
Отзыв: 
  
        5+4= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Corsair 4 GB (2x2GB) DDR3 1866 MHz (CMT4GX3M2A1866C9)
Corsair 4 GB (2x2GB) DDR3 1866 MHz (CMT4GX3M2A1866C9) Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1866 МГц; Пропускная способность: 15000 Мб/с; Объем: 2 модуля по 2; Напряжение питания: 1.65 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): ...
Corsair 4 GB (2x2GB) DDR3 2133 MHz (CMT4GX3M2A2133C9)
Corsair 4 GB (2x2GB) DDR3 2133 MHz (CMT4GX3M2A2133C9) Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 2133 МГц; Пропускная способность: 17000 Мб/с; Объем: 2 модуля по 2 Гб; Напряжение питания: 1.65 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL...


bg