rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти G.SKILL 2 GB SO-DIMM DDR3 1333 MHz (F3-10666CL9S-2GBSQ). Отзывы о G.SKILL 2 GB SO-DIMM DDR3 1333 MHz (F3-10666CL9S-2GBSQ).
bg

G.SKILL 2 GB SO-DIMM DDR3 1333 MHz (F3-10666CL9S-2GBSQ) отзывы.

Вся память >> G.Skill >> G.SKILL 2 GB SO-DIMM DDR3 1333 MHz (F3-10666CL9S-2GBSQ)

Описание G.SKILL 2 GB SO-DIMM DDR3 1333 MHz (F3-10666CL9S-2GBSQ): Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10666 Мб/с; Объем: 1 модуль 2 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 9; RAS to CAS Delay (tRCD): 9; Row Precharge Delay (tRP): 9; Activate to Precharge Delay (tRAS): 24;...



Добавить отзыв о G.SKILL 2 GB SO-DIMM DDR3 1333 MHz (F3-10666CL9S-2GBSQ)
Имя: 
Отзыв: 
  
        5+9= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Kingston KTM8854/512
Kingston KTM8854/512 Тип памяти: DDR; Форм-фактор: DIMM 184-контактный; Тактовая частота: 333 МГц; Пропускная способность: 2700 Мб/с; Объем памяти: 1 модуль 0.512 Гб; Совместимость с ПК: ноутбуки IBM;...
Kingston KVR533D2N4/1G
Kingston KVR533D2N4/1G Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 533 МГц; Пропускная способность: 4200 Мб/с; Объем памяти: 1 модуль 1 Гб; Напряжение питания: 1.8 В; Количество чипов каждого модул...


bg