rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти G.SKILL 2 GB DDR3 1333 MHz (F3-10600CL9S-2GBNS). Отзывы о G.SKILL 2 GB DDR3 1333 MHz (F3-10600CL9S-2GBNS).
bg

G.SKILL 2 GB DDR3 1333 MHz (F3-10600CL9S-2GBNS) отзывы.

Вся память >> G.Skill >> G.SKILL 2 GB DDR3 1333 MHz (F3-10600CL9S-2GBNS)

Описание G.SKILL 2 GB DDR3 1333 MHz (F3-10600CL9S-2GBNS): Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Объем: 1 модуль 2 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 9; RAS to CAS Delay (tRCD): 9; Row Precharge Delay (tRP): 9; Activate to Precharge Delay (tRAS): 24;...



Добавить отзыв о G.SKILL 2 GB DDR3 1333 MHz (F3-10600CL9S-2GBNS)
Имя: 
Отзыв: 
  
        4+4= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Corsair CML4GX3M1A1600C9
Corsair CML4GX3M1A1600C9 Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 2 модуля по 2 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL)...
GoodRAM GR800D264L6/1G
GoodRAM GR800D264L6/1G Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 800 МГц; Пропускная способность: 6400 Мб/с; Объем: 1 модуль 1; Напряжение питания: 1.8 В; Количество ранков: 2; Количество чипов к...


bg