rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти Crucial BLS4G3N169ES4. Отзывы о Crucial BLS4G3N169ES4.
bg

Crucial BLS4G3N169ES4 отзывы.

Вся память >> Crucial >> Crucial BLS4G3N169ES4

Описание Crucial BLS4G3N169ES4: Тип: DDR3; Форм-фактор: SODIMM; Объем одного модуля: 4 Гб; Количество контактов: 204; Количество модулей: 1; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Низкопрофильная (Low Profile): нет; CL: 9; tRCD: 9; tRP: 9; tRAS: 24; Напряжение питания: 1.5 В;...



Добавить отзыв о Crucial BLS4G3N169ES4
Имя: 
Отзыв: 
  
        9+6= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Samsung DDR3 1866 DIMM 4Gb
Samsung DDR3 1866 DIMM 4Gb Тип: DDR3; Форм-фактор: DIMM; Объем одного модуля: 4 Гб; Количество контактов: 240; Количество модулей: 1; Тактовая частота: 1866 МГц; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Низкопрофил...
Kingston KVR13LSE9S8/4
Kingston KVR13LSE9S8/4 Тип: DDR3L; Форм-фактор: SODIMM; Объем одного модуля: 4 Гб; Количество контактов: 204; Количество модулей: 1; Количество ранков: 1; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Подд...


bg